魏大程課題組發(fā)展出摻氮石墨烯在介電襯底低溫生長(zhǎng)的新方法
石墨烯由于其超高載流子遷移率，優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性，有望成為新一代的電子材料。但是石墨烯的生長(zhǎng)通常需要高溫，并且通常只能在金屬表面進(jìn)行，極大限制了石墨烯在半導(dǎo)體電子器件中的應(yīng)用。目前，還缺少直接在介電表面低溫生長(zhǎng)摻氮石墨烯的技術(shù)。
魏大程課題組與新加坡國(guó)立大學(xué)的合作者，通過(guò)改進(jìn)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，發(fā)展出一種在石墨烯生長(zhǎng)與等離子體刻蝕之間的臨界條件下生長(zhǎng)大面積摻氮石墨烯單晶的新方法。這種方法生長(zhǎng)溫度低，最低可達(dá)到435℃，可以在非金屬介電表面進(jìn)行，克服了現(xiàn)有方法制備的樣品不能直接用于電學(xué)器件的問(wèn)題。該方法制備的摻氮石墨烯具有較高的載流子遷移率和n型導(dǎo)電性質(zhì)，與現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝有良好的兼容性，將推進(jìn)石墨烯在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。
相關(guān)論文在權(quán)威專業(yè)期刊ACS nano發(fā)表，詳見(jiàn)Dacheng Wei* , Lan Peng, Menglin Li, Hongying Mao, Tianchao Niu, Cheng Han, Wei Chen, and Andrew Thye Shen Wee. Low temperature critical growth of high quality nitrogen doped graphene on dielectrics by plasma-enhanced chemical vapor deposition, ACS Nano, 2015, 9 (1): 164–171
論文鏈接http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn505214f
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