二維過(guò)渡金屬硫族化合物的控制合成取得新進(jìn)展
二維過(guò)渡金屬硫族化合物（TMDCs）具有豐富的元素組成與材料特性，在納電子器件、新型光電器件及催化等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景。目前，發(fā)展可控合成方法是研究這類材料新奇物性進(jìn)而探索其應(yīng)用的關(guān)鍵。
近期，焦麗穎課題組提出了二維TMDCs的化學(xué)氣相輸運(yùn)合成新方法，通過(guò)對(duì)生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)進(jìn)行調(diào)控，實(shí)現(xiàn)了多種二維半導(dǎo)體材料，如MoS2、MoSe2、ReS2等材料的控制合成，為二維原子晶體的控制合成提供了新方法，拓展了二維半導(dǎo)體的材料體系。相關(guān)工作發(fā)表在Angew. Chem. Int. Ed. 2017, 56, 3611，第一作者為化學(xué)系博士研究生胡大珂。
此外，針對(duì)二維TMDCs層數(shù)控制合成的問(wèn)題，他們以前驅(qū)體設(shè)計(jì)為切入點(diǎn)，通過(guò)對(duì)生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的控制，實(shí)現(xiàn)了二維MoS2的層數(shù)控制合成。系統(tǒng)研究了二維MoS2的能帶間隙、光譜、電學(xué)等性質(zhì)與層數(shù)的關(guān)聯(lián)，在此基礎(chǔ)上構(gòu)建了具有高遷移率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管、整流二極管等器件，為高性能二維器件的構(gòu)筑提供了新思路。相關(guān)工作發(fā)表在Adv. Mater. 2017, 29, 1604540，第一作者為化學(xué)系博士研究生鄭晶瑩。
以上工作得到了南京大學(xué)王鵬教授、北京大學(xué)劉開(kāi)輝研究員等合作者在STEM表征及SHG測(cè)試方面的大力幫助以及國(guó)家自然科學(xué)基金委、清華大學(xué)自主科研項(xiàng)目等基金的資助。
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